SKU : a90ff6028216
• VCES (V): 650 • IC (A): 300 • VCE(sat) (V): 1.4 • RthJC (K/W): 0.25 • Tjmax: 175℃ • Packages: GHP • https://cnigbt.com/wp-content/uploads/2026/02/GHP.webp
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SiC 混合模块
• 具有高功率密度的 IGBT 集成功率模块。 • 开关损耗比非混合模块更低，工作温度也高于其他类型的半导体。 • 可用于要求低损耗的大功率应用。 • 对于需要高频开关的系统，碳化硅混合模块的效率更高。
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