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超结N沟道MOSFET拥有所有金属氧化半导体场效应晶体管中最低的导通电阻。固态开关还通过采用快速恢复二极管提高了效率，减少了对缓冲二极管的需求，并降低了换向故障的风险。超级结N沟道MOSFET专为高速和硬开关进行了优化，应用包括DC-DC转换器、电动叉车、电机驱动器、车载电池充电器、功率因数校正电路和电信设备。
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功能与特色 • 提供135 VDSS至1 kVDSS的漏极-源极额定电压范围 • 超低导通电阻额定值（例如，2.5 mΩ 至 21 mΩ） • 具有极宽的典型漏极电流（ID25）额定值范围，从2 A至200 A • 栅极电荷要求低至7 nC 特色 • 高功率密度 • 低栅极电荷确保在处理较低电流负载的同时提高效率 • 软恢复减少电磁干扰 • 适合并联 • 低电感国际标准封装
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