在漏极-源极电压额定值为600 V至800 V的固态开关中，超级结N通道MOSFET具有最低的导通电阻。生产多种版本的金属氧化半导体场效应晶体管。我们的设备采用第三代和第四代快速CoolMOS*技术，确保电源、DC-DC转换器和感应加热器的可靠高速切换。我们还生产多芯片超级结N沟道MOSFET，可用作降压转换器、图腾柱器件或直流斩波器。CoolMOS* 是 Technologies AG 的商标。