VUO110-12NO7

SKU : adba1ce5630f

的生产三种类型的MOSFET模块,用作桥式整流器和功率因数校正电路。每个模块都由一个金属氧化半导体场效应晶体管和一个快速恢复二极管组成。其中一个模块还包括一个采用非穿通架构的IGBT,可确保较大的反向偏压安全工作区(RBSOA)。这些模块经常被用作焊接机械、开关模式电源设备和不间断电源中的固态交流开关和AC-DC转换器。

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描述

功能与特色
• 漏极源极(Vdss)和集电极至发射极连续电压(Vces)额定值取决于架构和二极管电桥配对
• 典型额定电流范围为35A至130A
• 净功率 (Pn) 额定功率为 10kW、15 kW 或 30 kW
• 隔离电压额定值为 3.6 kVrms
特色
• 开尔文源极端子意味着设备需要较低的驱动电流
• 低封装电感可实现高速开关
• 直接覆铜陶瓷基板优化传热特性
• 可焊引脚便于安装在印刷电路板上
• 与波峰焊接兼容
• 也可以用两个螺丝安装
• 国际标准包装

其他信息

重量 321 克
尺寸 150 × 11 × 13.5 厘米

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