作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900V直流链）、2.5kV（1.25kV直流链）、3.3kV（1.8kV直流链）、4.5kV（2.8kV直流链）以及6.5kV（3.6kV直流链）。这些器件的构造完全不包含电线和焊接接缝，这几乎完全消除了传统模块无法避免的机械疲劳问题。相比传统模块，栅极引线和发射极连接线中的内部杂散电感得以大幅减少，从而改进强度和短路特性，而芯片发射极侧的直接冷却也使这些性能得到了进一步的增强。