SKU : f112f157190b
• VDSS (V): 1200 • ID (A): / • RDS(on) (mΩ): 1.57 • RthJC (K/W): / • Tjmax: 175°C • Packages: NV • https://cnigbt.com/wp-content/uploads/2026/02/NV.webp
支持顺丰速运，最快隔日达
同型号发票，一对一
老客户享受更优惠的价格
SiC MOSFET 模块可应用于汽车电驱动、充电桩、光伏逆变器等高可靠性应用场景。
微信 / WeChat
WhatsApp
