SKU : 6a0608b4808b
• VCES (V): 1200 • IC (A): 600 • VCE(sat) (V): 1.9 • RthJC (K/W): 0.048 • Tjmax: 175℃ • Packages: GWB • https://cnigbt.com/wp-content/uploads/2026/02/GWB.webp
支持顺丰速运，最快隔日达
同型号发票，一对一
老客户享受更优惠的价格
SiC 混合模块
• 具有高功率密度的 IGBT 集成功率模块。 • 开关损耗比非混合模块更低，工作温度也高于其他类型的半导体。 • 可用于要求低损耗的大功率应用。 • 对于需要高频开关的系统，碳化硅混合模块的效率更高。
微信 / WeChat
WhatsApp
