描述
SiC MOSFET 分立器件
• 碳化硅 MOSFET 具有优秀的高频、高压、高温性能，在电力电子系统中应用碳化硅 MOSFET 器件替代传统硅 IGBT 器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。主要适用于：光伏逆变、储能、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。
SKU : f20c0fa31ad7
• VDSS (V):1200
• ID (A):50
• RDS(on) (mΩ):40
• QGD (nC):VDSS (V): 25
• VGS,op (V): -4/+18
• Qrr (nC):430
• Trr (ns):17.5
• Tjmax:175°C
• Qualification:Industrial
• Packages:TO-247-4L
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