SKU : a73dc2b6abb2
• SiC MOSFET Module • 1200 V • 600 A
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• 2in1 • 采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半导体在高速开关性能方面优于目前占据主流的硅(Si)功率半导体(IGBT),以及在高温环境中使用的硅(Si)功率半导体。我们满足了工业应用设备(如轨道车辆用逆变器和转换器以及光伏逆变器)对于更高额定电压和更大电流容量的需求。并且,我们提供最适合低损耗和小型化应用的器件。
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