IXTY1N100P

SKU : a7a399feeaee

标准N沟道MOSFET在高压系统中用作高效固态开关。这些金属氧化半导体场效应晶体管专为处理硬开关而设计,在谐振模式应用中也能很好地工作。N沟道MOSFET的常见用途包括DC-DC转换器、电机控制器以及激光或X光机的脉冲发生器。

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描述

功能与特色
• 漏源额定电压额定值范围为从 600 VDSS 至 4.5 kVDSS
• 极宽的导通电阻额定值范围为从 9 mΩ 至 625 Ω
• 栅极电荷要求低至 7.8 nC
• 电阻切换时间通常小于 50 ns
特色
• 高功率密度
• 低栅极电荷可在高频下实现平稳切换
• JEDEC TO 封装
• 适合并联

其他信息

重量 321 克
尺寸 150 × 11 × 13.5 厘米

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