描述
功能与特色
• 提供 40 VDSS 至 300 VDSS 的漏极-源极额定电压
• 极低的导通电阻额定值（例如， 0.85 mΩ 、 1.3 mΩ 、 3.1 mΩ ）
• 具有 32 A 至 660 A的多种典型漏极电流 （ID25）
• 工作温度范围为 -40°C 至 175 ℃
• 雪崩评级
特色
• 高功率密度
• 低通态电阻可最大程度地降低功率损耗
• 针对开关模式电源转换应用中的同步整流进行了优化
• 国际标准包装
SKU : 047cb3ce2d02
沟槽栅极 N 通道 MOSFET 具有超低导通电阻和出色的耐温性。这些特性使其成为在低压、高电流系统和恶劣环境中的理想固态开关。这些金属氧化半导体场效应晶体管的主要应用包括轻型电动汽车、无人机和车载电池充电器。 生产的大多数沟槽栅极 N 通道 MOSFET 都采用了 HiPerFET 技术。这一新增功能可提高开关速度，同时减少或消除对并联开关的需求。
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