BiMOSFET将金属氧化硅场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）集成到一个类似于RC IGBT的紧凑型固态开关中，并具有单片集成二极管。BiMOSFET系列提供宽范围的阻断电压（1700V至3600V），可在110°C时处理高达75A的集电极电流，并可提供各种隔离和非隔离高压（HV）封装。此外，该系列还包括采用SMPD封装的多芯片H桥选项。