SiC (碳化硅器件)

碳化硅（SiC）器件分类：
•   碳化硅二极管：以肖特基二极管为代表，具有近乎为零的反向恢复电荷、耐高压和高温稳定性，广泛用于PFC电路、光伏逆变器等高效场景。
•   碳化硅 MOSFET：相比传统硅MOSFET，其导通电阻更低、开关损耗更小，支持更高工作频率，适用于电动汽车充电桩、开关电源等对效率与功率密度要求严苛的场合。
•   碳化硅 IGBT 模块：将SiC IGBT芯片集成封装，兼具超高压阻断能力与低导通压降，适合轨道交通、智能电网等超大功率应用（注：目前商业主流仍以SiC MOSFET模块为主，SiC IGBT尚处研发推广阶段）。
•   混合碳化硅：通常采用Si二极管搭配硅IGBT，能以较低成本显著改善反向恢复损耗，是传统设计向全Si方案过渡的优选。