IGBT Discrete (IGBT单管)

IGBT单管是一种N沟道增强绝缘栅双极晶体管结构，结构特点：N+区称为源极区，连接到其上的电极称为源极；P+区域称为漏极区；器件的控制区域是栅极区域，连接到其上的电极称为栅极。通道紧邻栅极边界形成，漏极和源极（形成沟道的地方）之间的P形区域（包括P+和P区域）被称为子沟道区域。漏极区另一侧的P+区称为漏极注入区，这是IGBT的一个独特功能区。常见的封装形式有TO247等，其电流规格通常在100A以下应用：由于封装小、电流规格适中，IGBT单管适用于对空间要求严格、电流需求适中的场合。